吴静远

发布时间：2019-11-07浏览次数：5581

基本信息姓名吴静远
系室光电科学与工程系
职称讲师
联系方式见黄页
电子邮件jywu@dhu.edu.cn
研究方向低维光电材料与微纳器件
个人简介主要从事低维材料微纳光电器件的设计、研制及其在光电探测等领域中的应用研究，目前主持国家自然科学基金青年基金、上海市“科技创新行动计划”扬帆计划等科研项目。
学习经历起止年月集团专业学位/学历
2015/10-2017/01英国剑桥大学物理电子学联合培养博士
2012/09-2019/09东南大学物理电子学博士（硕博连读）
2008/09-2012/07齐鲁工业大学光信息科学与技术学士
工作经历起止年月单位职称/职务
2019/10-至今永利集团讲师
教学成果课程名称
主讲本科生课程《传感器原理与应用》。
科研成果研究名称
1.国家自然科学基金青年基金项目，相变VO2/MoS2垂直异质结界面调控及其光电探测性能研究，2021.1-2023.12，主持；
2.上海市“科技创新行动计划”扬帆计划，基于相变氧化钒-硫化钼复合体系的可调谐热电子红外探测研究，2020.7-2023.6，主持；
3.永利集团中央高校基本科研业务费专项基金自由探索项目，二维/零维MoS2复合结构界面调控及宽光谱光电探测机理研究，2020.1-2022.12，主持。
代表性论文&科研
1. J. Y. Wu, X. F. Xu, L. F. Wei*, Active metasurfaces for manipulatable terahertz technology. Chinese Physics B, 2020, 29(09):113-125.
2. J. Y. Wu, Y. T. Chun, S. Li, T. Zhang, J. Wang, P. K. Shrestha and D. Chu, Broadband MoS2 Field-Effect Phototransistor: Ultra-high Visible-light Photoresponsivity and Negative Infrared Photoresponse, Advanced Materials, 2018, 30, 1705880.
3. J. Y. Wu, Y. T. Chun, S. Li, T. Zhang and D. Chu, Electrical Rectifying and Photosensing Property of MoS2 Based Schottky Diode, ACS Applied Materials & Interfaces, 2018, 10(29), 24613-24619.
4. J. Y. Wu, X. Y. Zhang, X. D. Ma, Y. P. Qiu and T. Zhang, High Quantum-Yield Luminescent MoS2 Quantum Dots with Variable Light Emission Created via Direct Ultrasonic Exfoliation of MoS2 Nanosheets, RSC Advances, 2015, 5, 95178-95182.
5. J. Y. Wu, M. N. Lin, L. D. Wang and T. Zhang, Photoluminescene of MoS2 Prepared by Effective Grinding-Assisted Sonication Exfoliation, Journal of Nanomaterials, 2014, 852735, 1-6.
6. J. Y. Wu, F. Li, M. Xiong, T. Zhang and X. Y. Zhang, High-Photoresponsivity MoS2/CdSe Quantum Dots Hybrid Phototransistor with Enhanced Photoresponse Speed, 2018 IEEE 13th Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), 2018: 1-4.
代表性专利&其他
1. 张彤，吴静远，何伟迪，苏丹，张晓阳，中空表面等离激元结构/二维材料复合多色红外探测芯片，申请中国发明专利，申请号：201910631985.0。
2. 张彤，苏丹，张晓阳，吴静远，王善江，一种超宽带吸收的异质结太阳能电池，授权中国发明专利，授权公告号：CN106784334B。
3. 张彤，徐佳佳，张晓阳，吴静远，单锋，马小丹，陈逾璋，一种柔性导电线路室温焊接方法，授权中国发明专利，授权公告号：CN106102333B。